MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 820-8833
Referência do fabricante:: IRFB7530PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 820-8833
Referência do fabricante:: IRFB7530PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	195A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	StrongIRFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	274nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	16.51mm
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.83 mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 195A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie StrongIRFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 274nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 16.51mm
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.83 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon de la serie StrongIRFET, corriente de drenaje continua máxima de 195 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFB7530PBF

Este MOSFET de canal N de alta corriente está diseñado para una amplia gama de aplicaciones de potencia. Su avanzada estructura permite una conmutación eficaz y un rendimiento notable en entornos difíciles, lo que la hace idónea para los sectores de la automatización y la electrónica, donde la fiabilidad y la robustez son esenciales para un funcionamiento eficaz en los circuitos eléctricos.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 195 A

• Amplia gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C

• Mayor durabilidad con robustez frente a avalanchas y dV/dt dinámico

• Capacitancia totalmente caracterizada y SOA de avalancha

• No contiene plomo y cumple la normativa RoHS de seguridad medioambiental

Aplicaciones

• Utilizado en el accionamiento de motores con escobillas

• Adecuado para topologías de medio puente y puente completo

• Apto para rectificador síncrono

• Ideal para circuitos alimentados por batería y convertidores CC/CC

• Se dedica a los sistemas de inversores CA/CC y CC/CA

¿Cuál es la tensión umbral de puerta máxima de este componente?

La tensión umbral de puerta máxima es de 3,7 V, lo que facilita un funcionamiento eficiente en diversas configuraciones de accionamiento de puerta.

¿Puede funcionar este MOSFET en entornos de alta temperatura?

Sí, funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para condiciones duras.

¿Cuál es el rendimiento de este MOSFET en términos de disipación de potencia?

Permite una disipación de potencia máxima de 375 W, lo que garantiza un rendimiento fiable en condiciones de carga importantes.

¿Se puede utilizar tanto en corriente continua como alterna?

Este componente está diseñado para ofrecer versatilidad, proporcionando un rendimiento eficaz en aplicaciones de conversión de potencia CC/CC y CA/CC.

¿Qué implicaciones tiene su baja RDS(on) para el diseño de circuitos?

Un RDS(on) bajo minimiza las pérdidas por conducción, mejorando así la eficiencia global del sistema y permitiendo disipadores de calor más pequeños y un mejor rendimiento térmico en los diseños de circuitos.