MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF5MR20KM1HHPSA1, VDSS 2000 V, ID 195 A, Mejora
- Código RS:
- 349-317
- Referência do fabricante:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-317
- Referência do fabricante:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 195A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 6.15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 195A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 6.15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- HU
Módulo de medio puente CoolSiC MOSFET de 62 mm de Infineon, de 2000 V y 5,2 mΩ G1, en el conocido diseño de encapsulado de 62 mm con tecnología de chip M1H. También disponible con material de interfaz térmica aplicado de antemano.
Alta densidad de corriente
Bajas pérdidas por conmutación
Fiabilidad superior del óxido de puerta
Robusto diodo de cuerpo integrado
Alta resistencia a la radiación cósmica
Módulo de conmutación de alta velocidad
Diseño simétrico del módulo
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