MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 145-9657
- Referência do fabricante:
- IRFB7530PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 145-9657
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- IRFB7530PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 195A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 274nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.51mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 195A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 274nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.51mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon de la serie StrongIRFET, corriente de drenaje continua máxima de 195 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFB7530PBF
Este MOSFET de canal N de alta corriente está diseñado para una amplia gama de aplicaciones de potencia. Su avanzada estructura permite una conmutación eficaz y un rendimiento notable en entornos difíciles, lo que la hace idónea para los sectores de la automatización y la electrónica, donde la fiabilidad y la robustez son esenciales para un funcionamiento eficaz en los circuitos eléctricos.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 195 A
• Amplia gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C
• Mayor durabilidad con robustez frente a avalanchas y dV/dt dinámico
• Capacitancia totalmente caracterizada y SOA de avalancha
• No contiene plomo y cumple la normativa RoHS de seguridad medioambiental
Aplicaciones
• Utilizado en el accionamiento de motores con escobillas
• Adecuado para topologías de medio puente y puente completo
• Apto para rectificador síncrono
• Ideal para circuitos alimentados por batería y convertidores CC/CC
• Se dedica a los sistemas de inversores CA/CC y CC/CA
¿Cuál es la tensión umbral de puerta máxima de este componente?
La tensión umbral de puerta máxima es de 3,7 V, lo que facilita un funcionamiento eficiente en diversas configuraciones de accionamiento de puerta.
¿Puede funcionar este MOSFET en entornos de alta temperatura?
Sí, funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para condiciones duras.
¿Cuál es el rendimiento de este MOSFET en términos de disipación de potencia?
Permite una disipación de potencia máxima de 375 W, lo que garantiza un rendimiento fiable en condiciones de carga importantes.
¿Se puede utilizar tanto en corriente continua como alterna?
Este componente está diseñado para ofrecer versatilidad, proporcionando un rendimiento eficaz en aplicaciones de conversión de potencia CC/CC y CA/CC.
¿Qué implicaciones tiene su baja RDS(on) para el diseño de circuitos?
Un RDS(on) bajo minimiza las pérdidas por conducción, mejorando así la eficiencia global del sistema y permitiendo disipadores de calor más pequeños y un mejor rendimiento térmico en los diseños de circuitos.
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