MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
816-6969P
Referência do fabricante:
PSMN1R5-30YLC,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.05mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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