MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-25MLHX, VDSS 25 V, ID 150 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-264
- Referência do fabricante:
- PSMN1R5-25MLHX
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
1 531,50 €
Adicione 1500 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 02 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,021 € | 1 531,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 219-264
- Referência do fabricante:
- PSMN1R5-25MLHX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | NextPowerS3 | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.81mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 106W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie NextPowerS3 | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.81mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 106W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de canal N de Nexperia con tecnología NextPowerS3 ofrece bajo RDS, baja fuga IDSS y alta eficiencia, con una corriente nominal de 150 A. Su resistencia de puerta baja optimizada es compatible con aplicaciones de conmutación rápida. Las aplicaciones clave incluyen reguladores de bajada síncronos, rectificadores síncronos en conversiones ac a dc y dc a dc, control de motor BLDC, eFuse y protección de batería, así como funcionalidades de OR-ing y hot-swap.
Conmutación rápida
Picos y sonidos bajos para diseños de EMI baja
Pinza de cobre de alta fiabilidad pegada
Calificación a 175 °C
Cables expuestos para una óptima inspección visual de soldadura
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-25MLHX, VDSS 25 V, ID 150 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-40YSDX, VDSS 40 V, ID 240 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-30YLC,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-30BLEJ, VDSS 30 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R8-30MLHX, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 40 V, ID 44 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
