MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 145-1709
- Referência do fabricante:
- SIHF620S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
32,95 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,659 € | 32,95 € |
| 100 - 200 | 0,619 € | 30,95 € |
| 250 - 450 | 0,56 € | 28,00 € |
| 500 - 1200 | 0,527 € | 26,35 € |
| 1250 + | 0,494 € | 24,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 145-1709
- Referência do fabricante:
- SIHF620S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | SiHF620S | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie SiHF620S | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF620S-GE3, VDSS 200 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1700 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB7NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines