MOSFET, N-Canal Vishay SUM90100E-GE3, VDSS 200 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
228-2987
Referência do fabricante:
SUM90100E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

800mV

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de 200 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

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