MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUM90100E-GE3, VDSS 200 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

8,90 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 552 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 184,45 €8,90 €
20 - 484,01 €8,02 €
50 - 983,785 €7,57 €
100 - 1983,56 €7,12 €
200 +3,30 €6,60 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2987
Referência do fabricante:
SUM90100E-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de 200 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

Links relacionados