MOSFET, N-Canal Vishay SIHF530STRR-GE3, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
815-2613
Referência do fabricante:
SIHF530STRR-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF530S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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