MOSFET, N-Canal Vishay SIHF530STRR-GE3, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 177-7490
- Referência do fabricante:
- SIHF530STRR-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
502,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 26 de abril de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 0,628 € | 502,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 177-7490
- Referência do fabricante:
- SIHF530STRR-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SiHF530S | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SiHF530S | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF530STRR-GE3, VDSS 100 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUM60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUM40014M-GE3, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUM70030M-GE3, VDSS 100 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUM90100E-GE3, VDSS 200 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUM40012EL-GE3, VDSS 40 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB22N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines