MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
812-3139
Referência do fabricante:
SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0675Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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