MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 50 unidades)*

9,65 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
50 - 4500,193 €9,65 €
500 - 12000,135 €6,75 €
1250 - 24500,106 €5,30 €
2500 - 49500,097 €4,85 €
5000 +0,077 €3,85 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
812-3139
Referência do fabricante:
SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0675Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados