MOSFET, N-Canal Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 812-3132
Referência do fabricante:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 812-3132
Referência do fabricante:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	Si2366DS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	42mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2.1W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.4nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20, +20V
	Tensión directa Vf	0.85V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	1.4mm
	Altura	1.02mm
	Longitud	3.04mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOT-23
	Serie Si2366DS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2.1W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V
	Tensión directa Vf 0.85V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 1.4mm
	Altura 1.02mm
	Longitud 3.04mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET serie Si2366DS de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 5,8 A - SI2366DS-T1-GE3

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para conmutación de montaje en superficie en circuitos electrónicos de baja tensión. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para funciones de gestión de potencia en las que se requiere una conducción eficiente y una conmutación moderada. El encapsulado es un factor de forma SOT-23 común para usar en conjuntos densamente poblados.

Características y ventajas:

• Tensión de drenaje máxima de 30 V que permite la conmutación de alimentación de baja tensión
• Corriente de drenaje continua de 5,8 A para un manejo de corriente sostenido
• Rds(on) bajos de 42 mΩ que reducen las pérdidas por conducción
• Tensión directa de 0,85 V que admite condiciones de accionamiento eficientes
• Carga de puerta típica de 6,4 nC que permite energía de conmutación controlada
• Disipación de potencia de 2,1 W para aplicaciones con limitación térmica

Aplicaciones

• Adecuado para distribución de potencia USB y conmutación de carga
• Ideal para el uso de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías y carga
• Se puede utilizar para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Útil en la protección de carriles de alimentación de electrónica de consumo

¿Qué encapsulado debo esperar para el montaje automatizado?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23 compatible con procesos de recogida y colocación y reflujo estándar.

¿Qué tan bien tolera entornos térmicos hostiles?

Valor nominal de funcionamiento de –55 a 150 °C, admite una amplia gama de temperaturas ambiente y elevadas de unión.

¿Qué amplitud de accionamiento de puerta está permitida?

El dispositivo admite hasta ±20 V entre la puerta y la fuente, lo que permite una amplia gama de tensiones de accionamiento dentro de ese límite.

¿Cuántos contactos están disponibles para el enrutamiento de PCB?

Utiliza una configuración de tres contactos típica de MOSFET de señal pequeña, lo que simplifica el diseño de huella y el enrutamiento.