MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB30NF20, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 810-7499
- Referência do fabricante:
- STB30NF20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
12,36 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 10 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,472 € | 12,36 € |
| 25 - 45 | 2,35 € | 11,75 € |
| 50 - 120 | 2,112 € | 10,56 € |
| 125 - 245 | 1,90 € | 9,50 € |
| 250 + | 1,808 € | 9,04 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 810-7499
- Referência do fabricante:
- STB30NF20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB75NF20, VDSS 200 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB40NF20, VDSS 200 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments, VDSS 100 V, ID 200 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 300 V, ID 53 A, Mejora, TO-263 de 3 pines