MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 2000 para poupar 1%

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1 139,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 04 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
Poupança
1000 - 10001,139 €1 139,00 €-
2000 +1,125 €1 125,00 €1%

*preço indicativo

Código RS:
168-7891
Referência do fabricante:
STB30NF20
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.