MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDP5N50NZ, VDSS 500 V, ID 4.5 A, TO-220, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 806-3560
- Referência do fabricante:
- FDP5N50NZ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 806-3560
- Referência do fabricante:
- FDP5N50NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | UniFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25, -25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 16.3mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie UniFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25, -25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 16.3mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
MOSFET de canal N UniFETTM, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFETTM es la familia de MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Tiene la resistencia en estado activo más pequeña entre los MOSFET Planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor resistencia a la energía de avalancha. Además, el diodo ESD de fuente de puerta interna permite que el MOSFET UniFET-IITM resista sobretensiones HBM de más de 2000 V.
Los MOSFET UniFETTM son adecuados para aplicaciones de convertidores de potencia de conmutación, como corrección de factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) y balastos de lámpara electrónicos.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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