MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 804-7603
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-380
- Referência do fabricante:
- IXFN80N60P3
- Fabricante:
- IXYS
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
33,71 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 222 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 33,71 € |
| 2 - 4 | 33,04 € |
| 5 + | 32,03 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 804-7603
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-380
- Referência do fabricante:
- IXFN80N60P3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 960W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 190nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 960W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN80N60P3, VDSS 600 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 90 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 72 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN48N60P, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines