MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 72 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4484
Referência do fabricante:
IXFN82N60P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

72A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

240nC

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

1.04kW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.2mm

Anchura

25.07mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

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