MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
194-029
Número do artigo Distrelec:
302-53-378
Referência do fabricante:
IXFN80N50P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

66A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

195nC

Disipación de potencia máxima Pd

700W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

25.07 mm

Altura

9.6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.2mm

Estándar de automoción

No

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