MOSFET IXYS IXFK120N30P3, VDSS 300 V, ID 120 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-4394
Número do artigo Distrelec:: 302-53-342
Referência do fabricante:: IXFK120N30P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFK120N30P3, VDSS 300 V, ID 120 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 802-4394
Número do artigo Distrelec:: 302-53-342
Referência do fabricante:: IXFK120N30P3
Fabricante:: IXYS

IXFK120N30P3, IXFX120N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	300 V
Tipo de Encapsulado	TO-264
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	27 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,13 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	19.96mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	150 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	5.13mm
Altura	26.16mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFK120N30P3, VDSS 300 V, ID 120 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™