MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- Código RS:
- 920-0877
- Referência do fabricante:
- IXFK26N120P
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*
732,275 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 400 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 29,291 € | 732,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 920-0877
- Referência do fabricante:
- IXFK26N120P
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-264 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 460mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 960W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 225nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.13 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 26.16mm | |
| Longitud | 19.96mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-264 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 460mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 960W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 225nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.13 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 26.16mm | ||
Longitud 19.96mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFK26N120P, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 48 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 800 V, ID 27 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 32 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 64 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 120 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, TO-264 de 3 pines