MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 796-5080
Referência do fabricante:: TK35E08N1
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 796-5080
Referência do fabricante:: TK35E08N1
Fabricante:: Toshiba

TK35E08N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	TK
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	12,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	72 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.16mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.45mm
Altura	15.1mm

MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba