Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ412EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 32 A, Mejora, SO-8 de 5 pines

Código RS:: 787-9496
Referência do fabricante:: SQJ412EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ412EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 32 A, Mejora, SO-8 de 5 pines

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Código RS:: 787-9496
Referência do fabricante:: SQJ412EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	32A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	SQ Rugged
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	8.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	80nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Tensión directa Vf	0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	5.03 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.14mm
	Longitud	5mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 32A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SO-8
	Serie SQ Rugged
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Tensión directa Vf 0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 5.03 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.14mm
	Longitud 5mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101