MOSFET, N-Canal Vishay SQJ152EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

9,54 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 31 de maio de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 900,954 €9,54 €
100 - 2400,898 €8,98 €
250 - 4900,81 €8,10 €
500 - 9900,763 €7,63 €
1000 +0,714 €7,14 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2957
Referência do fabricante:
SQJ152EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

114A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 40 V.

100 % Rg y UIS probados

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.