MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA81EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 46 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 204-7240
- Referência do fabricante:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
36,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 12 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,80 € | 36,00 € |
| 40 - 80 | 1,44 € | 28,80 € |
| 100 - 180 | 1,26 € | 25,20 € |
| 200 - 480 | 1,044 € | 20,88 € |
| 500 + | 0,972 € | 19,44 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-7240
- Referência do fabricante:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SQJA81EP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SQJA81EP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C tiene certificación AEC-Q101.
100 % RG y prueba UIS
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 46 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA78EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 72 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ181ELP-T1_GE3, VDSS -80 V, ID -128 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ186ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 66 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA42EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ126EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 500 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ152EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, SO-8 de 4 pines