MOSFET, N-Canal Infineon IRF2805PBF, VDSS 55 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 784-0274
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-270
- Referência do fabricante:
- IRF2805PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
3,37 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 45 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
- Mais 1130 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,37 € |
| 10 - 24 | 3,23 € |
| 25 - 49 | 3,04 € |
| 50 - 99 | 2,87 € |
| 100 + | 2,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 784-0274
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-270
- Referência do fabricante:
- IRF2805PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.51mm | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.51mm | ||
Anchura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 75 A, disipación de potencia máxima de 330 W - IRF2805PBF
Este MOSFET de potencia ofrece un excelente rendimiento para diversas aplicaciones electrónicas. Sus robustas especificaciones están diseñadas para entornos industriales, garantizando tanto la fiabilidad como la eficiencia. Con una baja resistencia a la conexión, este componente admite una alta capacidad de corriente, lo que lo hace adecuado para circuitos avanzados.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 75 A
• Mejora la eficiencia con un bajo RDS(on) de 4,7mΩ
• Compatible con tensiones de fuente de puerta de +20 V/-20 V para una mayor flexibilidad
• Capaz de velocidades de conmutación rápidas para satisfacer las necesidades de rendimiento dinámico
• Admite el manejo repetitivo de avalanchas para una mayor resistencia operativa
Aplicaciones
• Se utiliza en accionamientos de motores industriales para un control eficaz de la potencia
• Adecuado para la gestión de la energía en sistemas de automatización
• Utilizados en sistemas de energía renovable para una conmutación eficiente
• Utilizado en herramientas eléctricas duraderas y de alto rendimiento
• Aplicable en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos
¿Cuál es la temperatura máxima que puede soportar este componente?
Puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C para ofrecer un rendimiento en condiciones extremas.
¿Cómo gestiona este MOSFET las aplicaciones de alta corriente?
Está diseñado para gestionar una corriente de drenaje continua de 75 A, lo que lo hace adecuado para grandes demandas de corriente.
¿Puede utilizarse en aplicaciones con requisitos de conmutación rápida?
Sí, este MOSFET admite velocidades de conmutación rápidas, ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento dinámico.
¿Es adecuado este dispositivo para su uso en inversores de potencia?
Sí, su estabilidad térmica y su capacidad para manejar altas corrientes lo hacen apropiado para aplicaciones de inversores de potencia en sistemas de energías renovables.
¿Qué implicaciones tiene su baja on-resistencia?
El bajo RDS(on) reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que contribuye a mejorar la eficiencia y el rendimiento térmico.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF2807ZPBF, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 55 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 64 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 77 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines