Referência do fabricante

MOSFET, N-Canal onsemi FDC655BN, VDSS 30 V, ID 6.3 A, Mejora, SSOT de 6 pines

Código RS:: 761-4426
Referência do fabricante:: FDC655BN
Fabricante:: onsemi

MOSFET, N-Canal onsemi FDC655BN, VDSS 30 V, ID 6.3 A, Mejora, SSOT de 6 pines

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Código RS:: 761-4426
Referência do fabricante:: FDC655BN
Fabricante:: onsemi

Especificações

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Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	SSOT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	36mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	9nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.6W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.7mm
	Altura	1mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado SSOT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.6W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.7mm
	Altura 1mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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