MOSFET onsemi FDC645N, VDSS 30 V, ID 5,5 A, SSOT-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-3306
Referência do fabricante:: FDC645N
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDC645N, VDSS 30 V, ID 5,5 A, SSOT-6 de 6 pines, , config. Simple

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Código RS:: 166-3306
Referência do fabricante:: FDC645N
Fabricante:: onsemi

FDC645N, N-Channel PowerTrench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SSOT-6
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	48 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	1,6 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Material del transistor	Si
Longitud	3mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13 nC a 4,5 V
Altura	1mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDC645N, VDSS 30 V, ID 5,5 A, SSOT-6 de 6 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor