MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB52N20TM, VDSS 200 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 759-8983
- Referência do fabricante:
- FDB52N20TM
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
11,62 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Stock limitado
- 800 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,324 € | 11,62 € |
| 50 - 95 | 2,004 € | 10,02 € |
| 100 - 495 | 1,738 € | 8,69 € |
| 500 + | 1,524 € | 7,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 759-8983
- Referência do fabricante:
- FDB52N20TM
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 49mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 357W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.572mm | |
| Longitud | 9.98mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.16mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 49mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 357W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.572mm | ||
Longitud 9.98mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.16mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQB50N06LTM, VDSS 60 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 62 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB2614, VDSS 200 V, ID 62 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQB12P20TM, VDSS 200 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 52 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 229 A, Mejora, TO-263 de 7 pines