MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
166-2528
Referência do fabricante:
FQB12P20TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

QFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

470mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.13W

Tensión directa Vf

-5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor


La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:


• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión

• Diseño de celdas de alta densidad

• corriente de saturación alta

• conmutación superior

• Gran rendimiento robusto y fiable

• Tecnología DMOS

Aplicaciones:


• Conmutación De Carga

• Convertidor CC/CC

• Protección de la batería

• Control de administración de energía

• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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