MOSFET Infineon IPB036N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5428
Referência do fabricante:: IPB036N12N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB036N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Preço unitário**

2,15 €

De momento não é possível confirmar a disponibilidade de stock online. Por favor, entre em contacto connosco: 800 102 037

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidade
1 +	2,15 €

**preço indicativo

Código RS:: 754-5428
Referência do fabricante:: IPB036N12N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	158 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB036N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior