MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMHC3F381N8TC, VDSS 30 V, ID 4.98 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4,
- Código RS:
- 751-5344
- Referência do fabricante:
- ZXMHC3F381N8TC
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
6,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 5 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
- Mais 24.335 unidade(s) para enviar a partir do dia 14 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,258 € | 6,29 € |
| 25 - 120 | 0,962 € | 4,81 € |
| 125 - 620 | 0,762 € | 3,81 € |
| 625 - 1245 | 0,676 € | 3,38 € |
| 1250 + | 0,616 € | 3,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 751-5344
- Referência do fabricante:
- ZXMHC3F381N8TC
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.98A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.35W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Configuración de transistor | Puente completo | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.98A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.35W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Configuración de transistor Puente completo | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Links relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 4.98 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMC3A16DN8TA, VDSS 30 V, ID 6.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2,
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal ZXMHC6A07N8TC, VDSS 60 V, ID 1.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4,
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMC3021LSD-13, VDSS 30 V, ID 8.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2,
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal ZXMP6A18DN8TA, VDSS 60 V, ID 4.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, SOIC, Mejora de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, SOIC, Mejora de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, SOIC, Mejora de 8 pines