MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 62 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9350
- Referência do fabricante:
- IRFB4510PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 100 unidades)*
69,20 €
Adicione 200 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- Mais 700 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,692 € | 69,20 € |
| 200 - 400 | 0,658 € | 65,80 € |
| 500 - 900 | 0,63 € | 63,00 € |
| 1000 - 1900 | 0,602 € | 60,20 € |
| 2000 + | 0,561 € | 56,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-9350
- Referência do fabricante:
- IRFB4510PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFB de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 100 V en un encapsulado TO 220. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Corriente nominal alta
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4510PBF, VDSS 100 V, ID 62 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 62 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 16.8 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 44 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 66 A, N, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 220 V, ID 72 A, N, TO-263