MOSFET, N-Canal Infineon IRLB3813PBF, VDSS 30 V, ID 260 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
725-9313
Referência do fabricante:
IRLB3813PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

260A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

57nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Altura

9.02mm

Anchura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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