Transistor MOSFET Vishay SI2301BDS-T1-E3, VDSS 20 V, ID 2.2 A, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 710-4660
- Referência do fabricante:
- SI2301BDS-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,322 € | 6,44 € |
| 100 - 180 | 0,205 € | 4,10 € |
| 200 - 380 | 0,201 € | 4,02 € |
| 400 - 980 | 0,196 € | 3,92 € |
| 1000 + | 0,136 € | 2,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 710-4660
- Referência do fabricante:
- SI2301BDS-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2.2 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.45V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 700 mW | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, +8 V | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 4,5 nC a 4,5 V | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1.02mm | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 2.2 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 100 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.45V | ||
Disipación de Potencia Máxima 700 mW | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -8 V, +8 V | ||
Longitud 3.04mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 4,5 nC a 4,5 V | ||
Ancho 1.4mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1.02mm | ||
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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