Referência do fabricante

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI2308BDS-T1-E3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 180-7752
Referência do fabricante:: SI2308BDS-T1-E3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI2308BDS-T1-E3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

8,48 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

A ser descontinuado

Última(s) 1820 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
20 +	0,424 €	8,48 €

*preço indicativo

Código RS:: 180-7752
Referência do fabricante:: SI2308BDS-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.192Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.3nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.66W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	2.64 mm
	Altura	1.12mm
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.192Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.3nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.66W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 2.64 mm
	Altura 1.12mm
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 156mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una potencia nominal máxima de 1,66W W y corriente de drenaje continuo de 2,3A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptor de batería

• Convertidor CC/CC

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• UIS probado