MOSFET Vishay SI2308BDS-T1-E3, VDSS 60 V, ID 2,1 A, SOT-23 de 3 pines

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 156mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una potencia nominal máxima de 1,66W W y corriente de drenaje continuo de 2,3A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptor de batería
• Convertidor CC/CC

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado