MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
688-7213
Número do artigo Distrelec:
304-43-458
Referência do fabricante:
IRLB3036PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

270A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-16, +16V

Disipación de potencia máxima Pd

380W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

91nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83mm

Altura

9.02mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 270 A - IRLB3036PBF


Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para conmutación de alta corriente y baja pérdida en entornos industriales. Se trata de un dispositivo de mejora de canal N alojado en un encapsulado TO-220 de orificio pasante, diseñado para aplicaciones que requieren una corriente de drenaje continua sustancial y una resistencia térmica robusta en un amplio rango ambiental.

Características y ventajas:


• Resistencia de conexión muy baja de 2 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Alta corriente de drenaje continua de 270 A para soportar cargas pesadas
• Disipación de potencia máxima de 380 W para conmutación de alta potencia
• Tensión nominal de drenaje-fuente de 60 V para sistemas de tensión moderada
• Carga de puerta típica de 91 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible

Aplicaciones


• Apto para etapas de accionamiento de motores en equipos industriales
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores dc-dc
• Se utiliza con conmutación de alta corriente en la gestión de baterías
• Se puede utilizar para etapas de salida de inversor en sistemas de media tensión

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?


El dispositivo no debe superar ±16 V entre la puerta y la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta.

¿Cómo afecta el rango térmico a la implementación?


Funciona entre –55 y 175 °C, lo que permite su uso en condiciones térmicas hostiles y escenarios de unión elevada.

¿Cuál es la característica de conducción directa cuando el diodo del cuerpo conduce?


La tensión directa suele ser de 1,3 V durante la conducción del diodo, lo que influye en los cálculos de pérdida en intervalos síncronos o de rueda libre.

¿Qué consideraciones de encapsulado y montaje se aplican a la disipación térmica?


Se suministra en un formato de orificio pasante TO-220 que facilita la fijación directa del disipador térmico para mejorar la gestión térmica.

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