MOSFET, N-Canal Infineon IRLB3036PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-9025
- Referência do fabricante:
- IRLB3036PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
141,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 1000 unidade(s) a partir do dia 17 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,82 € | 141,00 € |
| 100 - 200 | 2,172 € | 108,60 € |
| 250 + | 2,03 € | 101,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 124-9025
- Referência do fabricante:
- IRLB3036PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 270A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 91nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 380W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16, +16V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 270A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 91nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 380W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16, +16V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 270 A - IRLB3036PBF
Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para conmutación de alta corriente y baja pérdida en entornos industriales. Se trata de un dispositivo de mejora de canal N alojado en un encapsulado TO-220 de orificio pasante, diseñado para aplicaciones que requieren una corriente de drenaje continua sustancial y una resistencia térmica robusta en un amplio rango ambiental.
Características y ventajas:
• Resistencia de conexión muy baja de 2 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Alta corriente de drenaje continua de 270 A para soportar cargas pesadas
• Disipación de potencia máxima de 380 W para conmutación de alta potencia
• Tensión nominal de drenaje-fuente de 60 V para sistemas de tensión moderada
• Carga de puerta típica de 91 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible
• Alta corriente de drenaje continua de 270 A para soportar cargas pesadas
• Disipación de potencia máxima de 380 W para conmutación de alta potencia
• Tensión nominal de drenaje-fuente de 60 V para sistemas de tensión moderada
• Carga de puerta típica de 91 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motores en equipos industriales
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores dc-dc
• Se utiliza con conmutación de alta corriente en la gestión de baterías
• Se puede utilizar para etapas de salida de inversor en sistemas de media tensión
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores dc-dc
• Se utiliza con conmutación de alta corriente en la gestión de baterías
• Se puede utilizar para etapas de salida de inversor en sistemas de media tensión
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?
El dispositivo no debe superar ±16 V entre la puerta y la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta.
¿Cómo afecta el rango térmico a la implementación?
Funciona entre –55 y 175 °C, lo que permite su uso en condiciones térmicas hostiles y escenarios de unión elevada.
¿Cuál es la característica de conducción directa cuando el diodo del cuerpo conduce?
La tensión directa suele ser de 1,3 V durante la conducción del diodo, lo que influye en los cálculos de pérdida en intervalos síncronos o de rueda libre.
¿Qué consideraciones de encapsulado y montaje se aplican a la disipación térmica?
Se suministra en un formato de orificio pasante TO-220 que facilita la fijación directa del disipador térmico para mejorar la gestión térmica.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3006PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RX3G18BBGC16, VDSS 40 V, ID 270 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLS3036TRLPBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP3006PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3006PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines