MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 83 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
688-6948
Número do artigo Distrelec:
302-84-037
Referência do fabricante:
IRFB4228PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

83A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72nC

Disipación de potencia máxima Pd

330W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

1.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.82 mm

Altura

8.77mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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