MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS5672, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 671-0542
- Referência do fabricante:
- FDS5672
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
8,75 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 370 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
- Mais 1325 unidade(s) para enviar a partir do dia 15 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,75 € | 8,75 € |
| 50 - 95 | 1,508 € | 7,54 € |
| 100 - 495 | 1,31 € | 6,55 € |
| 500 - 995 | 1,15 € | 5,75 € |
| 1000 + | 1,046 € | 5,23 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 671-0542
- Referência do fabricante:
- FDS5672
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 6.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS86540, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS5670, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS5351, VDSS 60 V, ID 6.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 4.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines