MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS5351, VDSS 60 V, ID 6.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 903-4178
- Referência do fabricante:
- FDS5351
- Fabricante:
- onsemi
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- 903-4178
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 58.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 58.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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