MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal ZXMHC6A07T8TA, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora de 8 pines, 4, config.
- Código RS:
- 669-7461
- Referência do fabricante:
- ZXMHC6A07T8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Adicione mais 10 para poupar 3,15 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
4,33 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Envio de 1000 unidade(s) a partir do dia 03 de agosto de 2027
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,165 € | 4,33 € | - |
| 10 - 48 | 1,85 € | 3,70 € | 3,15 € |
| 50 - 248 | 1,77 € | 3,54 € | 19,75 € |
| 250 - 498 | 1,465 € | 2,93 € | 175,00 € |
| 500 + | 1,34 € | 2,68 € | 412,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 669-7461
- Referência do fabricante:
- ZXMHC6A07T8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 425mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 850mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Configuración de transistor | Puente completo | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 425mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 850mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Configuración de transistor Puente completo | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Longitud 6.7mm | ||
Anchura 3.7mm | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Links relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 1.8 A, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMHC3A01T8TA, VDSS 30 V, ID 3.1 A, Mejora de 8 pines, 4, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal ZXMP6A18DN8TA, VDSS 60 V, ID 4.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 3.1 A, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente completo
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 4.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal ZXMHC6A07N8TC, VDSS 60 V, ID 1.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 4,
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 5.2 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal DMP3085LSD-13, VDSS 30 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.