MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 3.1 A, Mejora de 8 pines, 4, config. Puente completo
- Código RS:
- 922-8594
- Referência do fabricante:
- ZXMHC3A01T8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 922-8594
- Referência do fabricante:
- ZXMHC3A01T8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 330mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.95V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Puente completo | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 330mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.95V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Puente completo | ||
Longitud 6.7mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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