MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL1004PBF, VDSS 40 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-2105
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-389
- Referência do fabricante:
- IRL1004PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
3,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 263 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 413 unidade(s) para enviar a partir do dia 06 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 3,54 € |
| 5 - 9 | 3,44 € |
| 10 - 14 | 3,37 € |
| 15 - 24 | 3,25 € |
| 25 + | 3,22 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 541-2105
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-389
- Referência do fabricante:
- IRL1004PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | LogicFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie LogicFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie LogicFET, corriente de drenaje continua máxima de 130 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRL1004PBF
Este MOSFET de alto rendimiento emplea tecnología Si y está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. La estructura de canal N en modo de mejora garantiza un funcionamiento eficaz, lo que lo hace adecuado para los modernos sistemas eléctricos y de automatización, especialmente en circuitos de alta potencia.
Características y ventajas
• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 130 A
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para garantizar un rendimiento sólido
• Rds(on) bajo de 7mΩ para disminuir la generación de calor
• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C
• El compacto encapsulado TO-220AB permite múltiples opciones de montaje
Aplicaciones
• Circuitos de alimentación de alta eficiencia
• Sistemas de automoción y automatización industrial
• Sistemas de gestión y conversión de la energía
¿Cómo contribuye la Rds(on) a la eficiencia del dispositivo?
Un bajo Rds(on) de 7mΩ minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, reduciendo así el calor y mejorando la eficiencia global en aplicaciones de potencia.
¿Qué significa el intervalo de temperatura de funcionamiento?
El dispositivo es capaz de funcionar en una amplia gama de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones ambientales y minimiza el riesgo de fallos térmicos.
¿Puede utilizarse para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?
Sí, está diseñado para capacidades de conmutación rápida, lo que lo hace adecuado para operaciones de alta frecuencia, mejorando así el rendimiento en sistemas de comunicación y control.
¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?
Utilice técnicas de gestión térmica adecuadas, como un disipador térmico apropiado, ya que los dispositivos de alta potencia necesitan una disipación térmica eficaz para mantener la funcionalidad y la fiabilidad.
¿Qué ocurre si la tensión puerta-fuente supera el valor nominal máximo?
Superar la tensión máxima de la fuente de puerta puede provocar el fallo del dispositivo, por lo que es vital respetar los límites especificados para garantizar la longevidad y evitar daños.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4310PBF, VDSS 100 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 130 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4310TRLPBF, VDSS 100 V, ID 130 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 130 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 130 A, Mejora, TO-263 de 7 pines