MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL1004PBF, VDSS 40 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
541-2105
Número do artigo Distrelec:
303-41-389
Referência do fabricante:
IRL1004PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

130A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

LogicFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Anchura

4.69 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Infineon serie LogicFET, corriente de drenaje continua máxima de 130 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRL1004PBF


Este MOSFET de alto rendimiento emplea tecnología Si y está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. La estructura de canal N en modo de mejora garantiza un funcionamiento eficaz, lo que lo hace adecuado para los modernos sistemas eléctricos y de automatización, especialmente en circuitos de alta potencia.

Características y ventajas


• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 130 A

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para garantizar un rendimiento sólido

• Rds(on) bajo de 7mΩ para disminuir la generación de calor

• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C

• El compacto encapsulado TO-220AB permite múltiples opciones de montaje

Aplicaciones


• Circuitos de alimentación de alta eficiencia

• Sistemas de automoción y automatización industrial

• Sistemas de gestión y conversión de la energía

¿Cómo contribuye la Rds(on) a la eficiencia del dispositivo?


Un bajo Rds(on) de 7mΩ minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, reduciendo así el calor y mejorando la eficiencia global en aplicaciones de potencia.

¿Qué significa el intervalo de temperatura de funcionamiento?


El dispositivo es capaz de funcionar en una amplia gama de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones ambientales y minimiza el riesgo de fallos térmicos.

¿Puede utilizarse para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?


Sí, está diseñado para capacidades de conmutación rápida, lo que lo hace adecuado para operaciones de alta frecuencia, mejorando así el rendimiento en sistemas de comunicación y control.

¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?


Utilice técnicas de gestión térmica adecuadas, como un disipador térmico apropiado, ya que los dispositivos de alta potencia necesitan una disipación térmica eficaz para mantener la funcionalidad y la fiabilidad.

¿Qué ocurre si la tensión puerta-fuente supera el valor nominal máximo?


Superar la tensión máxima de la fuente de puerta puede provocar el fallo del dispositivo, por lo que es vital respetar los límites especificados para garantizar la longevidad y evitar daños.

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