MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 84 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-1714
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-261
- Referência do fabricante:
- IRF1010EPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 541-1714
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-261
- Referência do fabricante:
- IRF1010EPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 84A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 84A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 84 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF1010EPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Sus características de baja resistencia a la conexión y su capacidad para soportar altas corrientes de drenaje continuas lo convierten en un componente clave para los ingenieros de sistemas de automatización y gestión de la energía. El dispositivo se comporta bien en entornos difíciles y garantiza un funcionamiento constante en una amplia gama de temperaturas.
Características y ventajas
• La baja RDS(on) contribuye a minimizar la pérdida de potencia a altas corrientes
• La alta capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 84 A mejora la eficiencia
• El compacto encapsulado TO-220AB facilita el montaje
• La capacidad de conmutación rápida mejora el rendimiento general del circuito
• Totalmente clasificado para avalanchas para una mayor protección del dispositivo
Aplicaciones
• Circuitos de alimentación para una regulación eficaz de la tensión
• Sistemas de control del motor para un funcionamiento preciso
• Circuitos conductores de alta corriente
• Amplificación de señales en dispositivos electrónicos
¿Cuáles son los valores de resistencia térmica de este producto?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,75 °C/W, y la resistencia térmica de la carcasa al disipador sobre una superficie plana engrasada es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.
¿Puede funcionar con seguridad en entornos con altas temperaturas?
Sí, funciona eficazmente a temperaturas de hasta 175 °C, por lo que es adecuado para aplicaciones en las que el calor es un problema.
¿Qué tipo de corriente puede soportar a altas temperaturas?
A una temperatura de la carcasa de 100 °C, puede gestionar una corriente de drenaje continua de 59 A, lo que garantiza un funcionamiento fiable bajo carga.
¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?
Con una carga de puerta típica de 130 nC a 10 V, permite una conmutación rápida y un funcionamiento eficaz en aplicaciones dinámicas.
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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