MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 84 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 541-1714
Número do artigo Distrelec:: 303-41-261
Referência do fabricante:: IRF1010EPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 84 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 541-1714
Número do artigo Distrelec:: 303-41-261
Referência do fabricante:: IRF1010EPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	84A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	12mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	130nC
	Disipación de potencia máxima Pd	200W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.54mm
	Anchura	4.69 mm
	Altura	8.77mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 84A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC
	Disipación de potencia máxima Pd 200W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.54mm
	Anchura 4.69 mm
	Altura 8.77mm
	Estándar de automoción No

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MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 84 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF1010EPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Sus características de baja resistencia a la conexión y su capacidad para soportar altas corrientes de drenaje continuas lo convierten en un componente clave para los ingenieros de sistemas de automatización y gestión de la energía. El dispositivo se comporta bien en entornos difíciles y garantiza un funcionamiento constante en una amplia gama de temperaturas.

Características y ventajas

• La baja RDS(on) contribuye a minimizar la pérdida de potencia a altas corrientes

• La alta capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 84 A mejora la eficiencia

• El compacto encapsulado TO-220AB facilita el montaje

• La capacidad de conmutación rápida mejora el rendimiento general del circuito

• Totalmente clasificado para avalanchas para una mayor protección del dispositivo

Aplicaciones

• Circuitos de alimentación para una regulación eficaz de la tensión

• Sistemas de control del motor para un funcionamiento preciso

• Circuitos conductores de alta corriente

• Amplificación de señales en dispositivos electrónicos

¿Cuáles son los valores de resistencia térmica de este producto?

La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,75 °C/W, y la resistencia térmica de la carcasa al disipador sobre una superficie plana engrasada es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.

¿Puede funcionar con seguridad en entornos con altas temperaturas?

Sí, funciona eficazmente a temperaturas de hasta 175 °C, por lo que es adecuado para aplicaciones en las que el calor es un problema.

¿Qué tipo de corriente puede soportar a altas temperaturas?

A una temperatura de la carcasa de 100 °C, puede gestionar una corriente de drenaje continua de 59 A, lo que garantiza un funcionamiento fiable bajo carga.

¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?

Con una carga de puerta típica de 130 nC a 10 V, permite una conmutación rápida y un funcionamiento eficaz en aplicaciones dinámicas.

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.