MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N900K6, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 285-5915
- Referência do fabricante:
- STP80N900K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 285-5915
- Referência do fabricante:
- STP80N900K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | STP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.6mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie STP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.6mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor RDS(on) a nivel mundial x área
Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial
Carga de puerta ultrabaja
100% prueba de avalancha
Con protección Zener
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