MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N900K6, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 285-5914
- Referência do fabricante:
- STP80N900K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 285-5914
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- STP80N900K6
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- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 28.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor RDS(on) a nivel mundial x área
Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial
Carga de puerta ultrabaja
100% prueba de avalancha
Con protección Zener
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