MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS4600DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 334 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9969
Referência do fabricante:
SIRS4600DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

334A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SIRS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00115Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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