MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR580DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 228-2908
- Referência do fabricante:
- SiR580DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
12,66 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 5980 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,532 € | 12,66 € |
| 50 - 120 | 2,384 € | 11,92 € |
| 125 - 245 | 2,156 € | 10,78 € |
| 250 - 495 | 2,026 € | 10,13 € |
| 500 + | 1,90 € | 9,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2908
- Referência do fabricante:
- SiR580DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 146A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 146A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 80 V.
100 % Rg y UIS probados
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR580DP, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR638DP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR626LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 204 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR104ADP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiR681DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 71.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR450DP-T1-RE3, VDSS 45 V, ID 113 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR680ADP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137 A, Mejora, SO-8 de 8 pines