MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5623DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 37.1 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9953
- Referência do fabricante:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,213 € | 8,85 € |
| 60 - 96 | 2,095 € | 8,38 € |
| 100 - 236 | 1,86 € | 7,44 € |
| 240 - 996 | 1,83 € | 7,32 € |
| 1000 + | 1,79 € | 7,16 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9953
- Referência do fabricante:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SiR | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.024Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 59.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SiR | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.024Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 59.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia de nueva generación
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Producto RDS x Qg FOM ultrabajo
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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