MOSFET, N-Canal Vishay SiR104ADP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
200-6861
Referência do fabricante:
SiR104ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET Gen IV

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.15mm

Anchura

5.15mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SiR104ADP-T1-RE3 es un MOSFET de canal N 100V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja

Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja

100 % Rg y prueba UIS

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