MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH155N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 279-9916
- Referência do fabricante:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
5,74 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 49 | 5,74 € |
| 50 - 99 | 5,63 € |
| 100 - 249 | 5,58 € |
| 250 - 999 | 5,45 € |
| 1000 + | 5,34 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9916
- Referência do fabricante:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SIHH | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.159Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SIHH | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.159Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E con diodo de cuerpo rápido, y el transistor que lleva está fabricado de material conocido como silicio.
Tecnología de la serie E de 4.ª generación
Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja
Calificación energética de avalancha
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH155N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK155N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH250N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines